Søkeresultater

Hopp til navigering Hopp til søk
Vis (forrige 20 | ) (20 | 50 | 100 | 250 | 500)
  • I [[halvledere]] spiller dislokasjoner i materialet en stor rolle, da de gir dårligere kva [[Kategori:Halvledere]] …
    1 KB (162 ord) - 28. nov. 2019 kl. 22:52
  • …raden av doping av andre stoffer som bestemmer den spesifikke resistansen. Halvledere som [[silisium]] og [[germanium]] brukes mye i [[elektronikk]]en, men fenom | Halvledere || Variabel …
    7 KB (976 ord) - 23. nov. 2023 kl. 03:09
  • …ladningsbærere inn i kanalen, og er typisk skapt som en brønn av [[Doping (halvledere)|dopet materiale]].<ref>{{Kilde bok|url=http://urn.nb.no/URN:NBN:no-nb_digi [[Kategori:Halvledere]] …
    5 KB (682 ord) - 29. okt. 2023 kl. 17:09
  • …tand (resistans)#Tabell over spesifikk motstand ved 20 °C for noen ledere, halvledere og isolatorer|Tabell over spesifikk motstand]] …
    2 KB (333 ord) - 12. apr. 2022 kl. 15:59
  • …r halvledere<ref>{{Kilde oppslagsverk|tittel=halvledere|url=https://snl.no/halvledere|oppslagsverk=Store norske leksikon|dato=2024-11-21|besøksdato=2024-12-13|sp …En halvlederdiode består av to halvledere i ett krystall, som er [[Doping (halvledere)|dopet]] forskjellig, en såkalt P-N-overgang. Se [[Transistor]] for nærmere …
    8 KB (1 264 ord) - 13. des. 2024 kl. 21:23
  • 9 KB (1 364 ord) - 16. jan. 2023 kl. 07:41
  • == I halvledere == Debye-lengden på [[Halvleder|halvledere]] er gitt: …
    15 KB (2 251 ord) - 19. mar. 2025 kl. 03:27
  • [[Kategori:Halvledere]] …
    5 KB (778 ord) - 6. sep. 2021 kl. 10:19
  • En stor fordel for silisiumkarbid i forhold til andre halvledere med stort bandgap er at man kan gro et naturlig lag av silisiumdioksid (SiO …
    8 KB (1 157 ord) - 19. jul. 2021 kl. 23:27
  • 11 KB (1 681 ord) - 22. des. 2023 kl. 00:32
  • === Halvledere=== …or av typen [[Intel 80486|Intel 80486DX2]] er eksempel på avansert bruk av halvledere. Senteret av enheten har en størrelse på 12×6,75 mm. {{byline|Matt Gibbs}}] …
    68 KB (10 849 ord) - 8. feb. 2025 kl. 09:51
  • 13 KB (1 993 ord) - 12. jun. 2024 kl. 07:30
  • …m holder atomer sammen, og forklare egenskapene til [[laser]]stråling og [[halvledere]]. …
    18 KB (2 687 ord) - 8. jun. 2024 kl. 18:14
  • …refleksbelegget som påføres etter at materialet er teksturert og [[Doping (halvledere)|dopet]]. Til slutt brennes kontakter av sølv gjennom antirefleksbelegget… …
    13 KB (1 958 ord) - 25. jun. 2024 kl. 18:21
  • …trøm likevel. Hvordan dette foregår fysisk er beskrevet nøyere i kapitlet "halvledere" nedenfor. Den styrende strømmen går gjennom base-emitterdioden og den styr == Halvledere == …
    69 KB (10 718 ord) - 13. mar. 2024 kl. 12:17
  • I elektriske ledere og halvledere må frie elektroner dele hele volumet, med andre ord «stables» energinivåene …
    14 KB (2 045 ord) - 5. sep. 2023 kl. 12:38
  • …otstand'' eller ''ikke-lineært kretselement''. Et eksempel på dette er ''[[halvledere]]'', ''lysbuer'' og ledende væsker, som endrer motstandsverdien sin i forho …lineært, men vil endres om temperaturen til lederen ikke er konstant. For halvledere gjelder Ohms lov dårlig, det samme gjelder ved strøm gjennom gasser (plasma …
    42 KB (6 615 ord) - 6. mar. 2025 kl. 16:52
  • …l Ni-YSZ. Ni grovhet refererer til utviklingen av Ni-partikler i [[Doping (halvledere)|dopet]] i YSZ blir større i kornstørrelse, noe som reduserer [[Overflatear …
    18 KB (2 430 ord) - 28. nov. 2021 kl. 12:52
  • 35 KB (5 326 ord) - 27. mar. 2024 kl. 11:35
  • 32 KB (4 796 ord) - 29. jan. 2025 kl. 11:04
Vis (forrige 20 | ) (20 | 50 | 100 | 250 | 500)